دوربین های سری جدید پاناسونیک و نحوه دسته بندی آنها

تکنولوژی انحصاری پاناسونیک

در طراحی جدید کمپانی پاناسونیک MOS ، ترکیبی از CCD و CMOS تولید شده است .

  • CCD مصرف انرژی بالا ، کیفیت بالا
  • CMOS مصرف انرژی پایین ، کیفیت پایین

MOS  مصرف انرژی کمتر ، کیفیت بالاتر

  • CCD technology to record better HD resolution and fast-moving activity, and are found in (charge-coupled device) image sensors have been around for over 30 years, and are often found in older models of cameras
  • CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensors utilize newer the majority of IP new cameras

 

Panasonic’s new high picture quality MOS image sensor
with the industry’s highest sensitivity

MOS Image Sensor

Osaka, Japan – Panasonic Corporation has successfully developed high sensitivity and high picture quality technologies for new MOS image sensors by improving the sensitivity of the company’s νMaicovicon®*۲ MOS image sensor and suppressing uneven color and brightness, which may be an issue for low-profile cameras, thereby ensuring more uniform image quality. Using these technologies, Panasonic will start mass production of a new MOS image sensor (MN34110) for digital cameras, a diagonal 7.7 mm (1/2.33-inch type) sensor with 14 megapixel effective resolution, in December 2011 and continues to develop various types.

 

کمپانی پاناسونیک در سال ۲۰۱۱ موفق به تولید تکنولوژی سنسور جدید MOS ، با حساسیت و کیفیت بالا گردید و در جهت یکنواختی رنگها و میزان شفافیت تصاویر با سنسورهای جدید در دوربین های تحت شبکه ( دیجیتال ) خود گامی نوین در این عرصه برداشت .
پاناسونیک ساخت و تولید انبوه سنسورهای MOS برای دوربین های دیجیتال با قطر ۷٫۷ میلیمتر با با رزولوشن موثر ۱۴ مگاپیکسل را آغاز و تولید انواع مختلف آن را از سال ۲۰۱۱ توسعه داده است .

Current high-sensitivity MOS image sensors suppress unevenness in brightness. CCDs have low color-mixing characteristics that suppress color unevenness. The rapidly expanding market for digital cameras with higher image quality and a slimmer body has resulted in greater demand for a stable supply of image sensors that offer both high sensitivity and uniform picture quality.

سنسور MOS با حساسیت بالا عدم وضوح رنگ در روشنایی را برطرف نموده است و نسبت به CCD از اختلاط رنگها جلوگیری نموده است که این خود باعث افزایش کیفیت در این سنسور شده است .
این ایجاد یکنواختی باعث افزایش حساسیت بالا و کیفیت بالا به صورت یکنواخت شده است .

Panasonic has achieved both MOS image sensor’s high sensitivity and uniform picture quality using the new MOS image sensor technologies, enabling digital cameras and camcorders as well as cameras incorporated in smartphones and other mobile terminals to be slimmer with higher sensitivity and improved picture quality.

پاناسونیک با بکارگیری این سنسورهای جدید به کیفیت بالای یکنواخت و حساسیت بالا دست یافته است به طوریکه دوربین های دیجیتال و فیلمبرداری را قادر می سازد که تصاویری به مراتب با کیفیت بالا ایجاد نماید .

The new MOS image sensor has the following features:

ویژگی های سنسور MOS :

۱٫ The fine process technologies provide a sensitivity of 3050 el/lx/sec/μm2, the industry’s highest as a MOS image sensor.

تکنولوژی پردازش بالا یک حساسیت ۳۰۵۰ el/lx/sec/μm2 به عنوان یک حسگرتصویر MOS فراهم می آورد .

۲٫ The new light-focusing structure significantly expands the incident light angle, ensuring uniform and high picture quality, as well as produces a slimmer camera.

ساختار جدید فوکوس نوری باعث گسترش زاویه تابش و درنهایت ایجاد تصویر یکنواخت با کیفیت بالا میگردد .

۳٫ The simple manufacturing process is based on the current MOS image sensor structure, ensuring a stable supply.

اساس فرایند تولید حسگرهای MOS بر ایستایی و پایداری انرژی است . ( کاهش دما )

۴٫ The sensor can achieve the same image quality as CCD-based sensors while keeping energy consumption down to CMOS levels.

این سنسور می تواند کیفیت تصویر همان سنسور مبتنی برCCD را داشته باشد ، در حالی که مصرف انرژی پایین به سطح CMOS دارد .

The new MOS image sensor has been created using the following Panasonic technologies:

سنسور جدید تصویر MOS با استفاده از فن آوری های زیر پاناسونیک ایجاد شده است:

۱٫ The 32 and 45 nm (nanometers) leading-edge semiconductor process technologies lower the wiring layer profile, expand the opening area, and increase the photo diode volume.

دراین تکنولوژی لبه پایینی نیمه هادی پایین تر از لایه مداری است که این خود باعث گسترش فضا و افزایش حجم دیود تصویر میگردد .

۲٫ The low color-mixing characteristics are enhanced by light-focusing structure design technologies that use a three-dimensional wave optics design to minimize light leakage at the structural boundaries.

کاراکتر پایین اختلاط ( میکس ) رنگ در این سنسور ، باعث افزایش فوکوس در این تکنولوژی میگردد که با استفاده از طراحی اپتیک موج سه بعدی ، نشت نوردر لبه ها و مرزهای نوری به حداقل میرسد .

۳٫ Image sensor mass-production technologies allow stable production of MOS image sensors with high picture-quality.

تولید انبوه سنسورها ، ساختار مناسب و پایدار را در MOS با کیفیت تصویر بالا فراهم می آورد .

Minimum Illumination: Color: less than 0.01 lx, BW: 0.03 lx
۶۰ frames per second performance in in1080p
High resolution: 1920 x 1080 Full HD at up to 60fps H.264
Impressive wide dynamic light range (up to 133 db)
Super-high sensitivity in low light conditions generating usable color video at less than .01 lux illumination
Enhanced Super Dynamic and Adaptive Black Stretch (ABS) technologies deliver an up to 133dB wide dynamic range
High sensitivity with Multi Processing Noise Reduction (MNR)
Auto Back Focus and Motorized Zoom (2.8-10mm) lens
Double SDXC/SDHC/SD Memory card slots
Built-in IR LEDs (up to 100 feet)
Super Chroma Compensation (SCC) assures excellent color reproduction even when the IR cut filter is removed to gain sensitivity under low light
VIQS (Variable Image Quality on Specified area) technology allows the eight designated areas to retain higher image quality while the excluded area will have a decreased image quality, resulting in lower image file sizes and bit rates.( VIQS: Up to 8 zones )
VMD (Video Motion Detection) with 4 programmable detection areas
Fog compensation
Multiple H.264 (High profile) streams (max. 4 streams)
MTBF 179,299 20 YEAR

پاسخی بگذارید

EnglishIran
error: Alert: Content is protected !!